存储双雄，HBM彻底卖爆

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三星电子、SK 海力士，HBM 预计出货 300 亿 Gb。

三星电子、SK 海力士高带宽内存（HBM）出货量预计今年仍将实现大幅增长。据观测，受益于英伟达、博通、AMD 等客户的需求，三星电子的 HBM 出货量将突破 100 亿 Gb。而 SK 海力士尽管近期面向英伟达供应的 HBM4 陷入性能争议，但市场普遍认为，该公司在满足合理性能区间的产品供应方面不存在问题。整体来看，两家企业年初设定的 HBM 出货量目标预计不会出现重大调整。

业内消息显示，三星电子与 SK 海力士今年 HBM 出货量按容量合计预计将达到 300 亿 Gb。

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三星电子 HBM 出货量有望突破 100 亿 Gb

三星电子已设定目标，今年 HBM 产量较去年扩大 3 倍以上。三星电子内存开发负责人黄相俊副社长在 GTC 2026 上表示："我们正在快速扩大 HBM 产能，计划今年产量较去年提升 3 倍以上。"据估算，三星电子去年 HBM 总出货量约为 40 亿 Gb。以此推算，今年出货量目标将达到 110 亿 Gb 左右。

事实上，三星电子在去年底制定今年 HBM 业务战略时，就对这一增长态势抱有信心。原因是其下一代产品 HBM4 获得了英伟达的积极反馈，与 AMD、博通等其他客户的供应协商也已进入收尾阶段。博通为谷歌、OpenAI 等科技巨头代工 AI 芯片。预计英伟达将成为三星电子 HBM4 的最大客户。

三星电子 HBM 的核心芯片采用 1c DRAM，承担控制器功能的基底裸片则采用自家代工 4 纳米工艺，两款裸片的工艺精度均优于竞争对手。基于此，三星电子被认为率先满足了英伟达提高的 HBM4 性能标准。原本 JEDEC（国际半导体标准化组织）制定的 HBM4 标准为 8Gbps 级别，而英伟达将要求提升至 11.7Gbps。

在 HBM3E 产品方面，博通是最大客户。谷歌自研 AI 芯片 TPU 搭载 HBM，据悉今年将大幅扩大基于 HBM3E 的 v7p 版本采购量。

不过业内认为，三星电子 HBM 出货量进一步提升的可能性并不高。截至今年年底，三星可获得的 1c DRAM 产能约为月产 13 万片，其中大部分已分配给 HBM，难以再获得额外产能。

SK 海力士虽陷性能争议，出货量计划维持不变

SK 海力士今年 HBM 出货量预计将达到 200 亿 Gb 左右，较去年（约 120 亿 Gb）增长约 60%，其中约三分之二分配给英伟达。公司计划上半年主力供应 HBM3E，下半年起扩大 HBM4 供应量。

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近期 SK 海力士陷入市场担忧：其面向英伟达的 HBM4 供应可能受阻，原因是难以满足英伟达上调后的 HBM4 性能要求。SK 海力士 HBM4 的核心芯片采用 1b DRAM，基底裸片采用台积电 12 纳米工艺，工艺相比三星更偏成熟制程。实际上，SK 海力士 HBM4 在与 AI 加速器整合的 2.5D 封装测试中，未能达到最高性能指标，核心原因被认为是电力无法稳定传输到核心裸片最上层。对此，SK 海力士正通过修改部分电路进行改进。